- Halbleiter-Kanal
- m <el> ■ semiconductor channel
German-english technical dictionary. 2013.
Halbleiter-Kanal
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Kanal — (von italienisch canale ‚Röhre‘, ‚Rinne‘) bezeichnet: Ärmelkanal, verbreitete Kurzbezeichnung der wichtigsten Meerenge Nordwesteuropas Kanal ob Soči, slowenische Gemeinde im Sočatal Der Kanal, polnischer Film von 1957 Naturwissenschaften:… … Deutsch Wikipedia
Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Inversion (Halbleiter) — Als Inversion wird in der Halbleitertechnologie sowohl ein Betriebszustand eines MIS Feldeffekttransistors, als auch der allgemeine Fall, dass in einem Halbleiter die Dichte der Minoritätsladungsträger die Dichte der Majoritätsladungsträger… … Deutsch Wikipedia
Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Prinzipskizze eines n Kanal MESFETs Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem n Kanal … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekttransistoren — oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart Elektronen oder Löcher bzw.… … Deutsch Wikipedia
Transistor — Eine Auswahl an diskreten Transistoren in verschiedenen Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen, ohne dabei mechanische Bewegungen auszuführen. Transistoren sind die… … Deutsch Wikipedia
MISFET — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
